XGPON ボサ

パラメータ

シンボル

分

タイプ

マックス

ユニット

保管温度

tstg

-40

+85

程度

動作ケース温度

トップル

-10

+85

程度

直流順電流(LD)

もし(LD)

100

ミリアンペア

逆電圧(LD)

VR(LD)

2

V

順電流(MPD)

もし(PD)

2

ミリアンペア

逆電圧(MPD)

Ｖｒ（ＰＤ）

15

V

鉛はんだ付け(温度)/(時間)

-

260/10 または 360/5

度/秒

保管相対湿度

RH

5

95

%

LD TO-CAN&ハウジング アセンブリ
引っ張る力

-

30

KG

ピン-TIA TO-CAN&ハウジング アセンブリ
引っ張る力

Tstd

15

KG

フェルールせん断力

-

30

KG

パラメータ

シンボル

分

タイプ

マックス

ユニット

試験条件

中心波長

λc

1260

1270

1280

nm

CW、=Ith+20mA の場合

閾値電流

Ith

3

8

15

ミリアンペア

時計回り、T=25度

-

-

50

ミリアンペア

時計回り、T=85度

順電圧

ボップ

-

1.2

1.6

V

光出力パワー

Pf

1.8

-

5.0

mW

CW、=Ith+20mA、T=25度の場合

1.0

-

-

CW、=Ith+20mA、T=85度の場合

立ち上がり時間/立ち下がり時間
(20-80%)

Tr/Tf

-

0.1

0.2

ns

Po=Pf、50 オーム

パワーキンク

キンク

70

%

CW、イオ=Ith~Ith+60mA、

私はキンクです

私はキンクです

70

%

CW、イオ=Ith~Ith+60mA

等価抵抗

ルピー

5

10

Ω

CW、=Ith+20mA の場合

電流を監視する

私は

100

-

1200

uA

CW、=Ith+20mA の場合

暗電流

ID

-

-

100

NA

VRD=5V

スペクトル幅(RMS-20dB)

△λ

-

0.5

1

nm

CW、=Ith+20mA の場合

サイドモード抑圧比

SMSR

30

-

-

dB

T=25度

トラッキングエラー

TE

-1.5

-

1.5

dB

T=-10-85度

パラメータ

シンボル

分

タイプ

マックス

ユニット

試験条件

動作波長

λ

1575

1577

1580

nm

TIA電源電圧

VCC

3.0

3.3

3.6

V

消費電流

ICC

-

-

50

ミリアンペア

無負荷

感度

セン

-

-

-29.5

dBm

λ=1577nm、BER10-3、9.953Gbps、
NRZ、ER=8.2dB、PRBS=231-1
@Vbr-2V、Tc=-10~85度

飽和電力

追伸

-7

-

-

dBm

APD降伏電圧

Vbr

27

-

45

V

Id=10uA,Tc=25 度

光学的リターンロス

RL

10

-

-

dB

λ=1270nm

20

-

-

dB

λ=1577nm

光クロストークから
内部レーザー

Xopt

-

-

-45

dB

1270/1577nm

からの光学的絶縁
外部ソース

ISO

35

-

-

dB

λ=1260nm～1560nm

35

-

-

dB

λ=1600nm～1675nm