XGSPON ボサ

パラメータ

シンボル

分

タイプ

マックス

ユニット

直流順電流(LD)

イフ(LD)

-

-

120

ミリアンペア

逆電圧(LD)

VR(LD)

-

-

2

V

順電流(MPD)

もし(PD)

-

-

2

ミリアンペア

逆電圧(MPD)

Ｖｒ（ＰＤ）

-

-

20

V

APD電源電圧

V(PD)

-

-

Vbr

V

TIA電源電圧

Vcc

-0.5

-

3.8

V

APDリバーサー電圧

イル

-

-

2

ミリアンペア

動作ケース温度

トップル

-10

-

+85

程度

保管温度

tstg

-40

-

+85

程度

溶接温度

Tstd

-

260/10

-

度/S

パラメータ

シンボル

分

タイプ

マックス

ユニット

試験条件

中心波長

λc

1260

1270

1280

nm

CW、If=Ith+20mA、Tc=-10～85 度

閾値電流

Ith

-

9

15

ミリアンペア

時計回り、T=25度

-

-

40

ミリアンペア

時計回り、T=85度

順電圧

ボップ

-

1.2

1.7

V

CW、Tc=-10~85 度

光出力パワー

Pf

2.7

-

5.0

mW

CW、=Ith+20mA、T=25度の場合

1.4

-

5.0

CW、If=Ith+20mA、Tc=-10～85 度

斜面効率

セ

0.135

-

0.25

W/A

CW、=Ith+20mA、T=25度の場合

0.08

-

0.25

CW、If=Ith+20mA、Tc=-10～85 度

電流を監視する

私は

100

-

1200

uA

CW、Pf=6.5dBm、Tc=-10～85 度

MPD 静電容量

CPD

-

-

20

pF

Vrp=5V,f=1MHz

MPD暗電流

ID

-

-

100

NA

Vrp=5V、T=25度

立ち上がり/立ち下がり時間

Tr/Tf

-

-

0.05

ns

Ib=Ith、20% ～ 80%

スペクトル
幅(RMS-20dB)

△λ

-

-

1.0

nm

CW、=Ith+20mA の場合

トラッキングエラー

TE

-1.5

-

1.5

dB

CW、Tc=-10~85 度

サイドモード抑制
配給

SMSR

30

40

-

dB

CW、= Ith+20mA の場合

パワーキンク

キンク

-

-

50

%

CW、Po=4~9dBm、Tc=-10~85 度

私はキンクです

私はキンクです

-

-

50

%

CW、Po=4~9dBm、Tc=-10~85 度

パラメータ

シンボル

分

タイプ

マックス

ユニット

試験条件

動作波長

λ

1575

1577

1580

nm

TIA電源電圧

V_CC

3.0

3.3

3.6

V

消費電流

I_CC

23

-

40

ミリアンペア

無負荷

APD降伏電圧

Vbr

27

-

53

V

I=10uA,T=25 度

Vbrの温度依存性

0.015

0.027

0.035

V/度

Id=10uA,Tc=-10~85 度

暗電流

ID

-

-

100

NA

V_RD=Vbr-2V

感度

セン

-

-

-29.5

dBm

λ=1577nm、BER10 -3、NRZ、
9.953Gbps、ER＞7dB、
PRBS=2 31 -1@Vbr-3V
Tc=-10~85 度

飽和電力

追伸

-8

-

-

dBm

λ=1577nm、BER10 -3、NRZ、
9.953Gbps、ER=6dB、
PRBS=2 31 -1@Vbr-3V

パラメータ

シンボル

分

タイプ

マックス

ユニット

試験条件

からの光学的絶縁

外部ソース

ISO(1577)

30

-

-

dB

λ=1550nm～1560nm
λ=1596nm～1600nm

35

-

-

dB

λ=1260nm～1550nm
λ=1600nm～1675nm

リターンロス(1490nm)

RL₁₅₇₇

20

-

-

dB

λ=1577nm

リターンロス(1310nm)

RL₁₂₇₀

10

-

-

dB

λ=1270nm

光クロストーク

CT

-

-

-40

dB

T1270R1577